5脚产生+15V开栅和-10V关栅电压，驱动IGBT导通与关断。当过流发生时，IGBT的Uce会显著高于正常导通值，饱和压降一般为7V以上，就发生退饱和现象，此时，M57962AL的保护电路检测出IGBT的栅极和集电极同为高电平，判断系统过流，M57962AL内置定时器，通过关栅电路和降压电路将短路电流钳制在较低的值，同时发出故障信号，使8脚变为低电平(如为瞬间过流，且在10s内，1端回到低电平，则保护复位，电路恢复常态)，输出短路故障信号(低电平)，保护信号传到控制电路，立即关闭PWM的输出，即驱动信号关断，从而起到保护IGBT的作用。

IGBT的过电压保护

关断IGBT时，它的集电极电流下降率较高，极高的下降率将引起集电极过电压。降低IGBT集-射极间电压UCE的方法通常有两种：一种是增大栅极电阻RG，但RG的增大将减缓IGBT的开关速度，从而增加开关损耗，此方法不太理想还有一种就是采用缓冲吸收电路。

吸收电容CS与电阻RS串联后跨接在IGBT的C、E两端，就构成了RC吸收电路，由于RS的串入，使IGBT关断时过电压吸收效果较单电容缓冲电路要差，RS越大，吸收效果越差。所以，在缓冲吸收电路中，RS取值较小，这样既有较好的吸收效果，同时对开通时的电流尖峰又有抑制作用。

IGBT的过热保护

由于IGBT是大功率半导体器件，损耗功率使其发热较多，加之IGBT的结温不能超过125摄氏度，不宜长期工作在较高温度下，因此要采取恰当的散热措施进行过热保护。

本文采用普通散热器与强迫风冷相结合的措施，并在控制电路上加过热检测保护电路，应付IGBT与散热器接触不良或者非正常情况，在IGBT散热片上安装热敏电阻，然后通过逻辑判断电路给出信号，供控制电路处理。

U11为LM393AN比较器，JP5处接上具有正温度系数的热敏电阻RT，Thref为参考电压，可以通过调节电位器RP8来调节动作门槛值。电路正常工作时，2点电位比3点电位低，1点输出信号THP为高电平，THP信号在CPLD(EPM7128S)中与PWM信号相与，当器件温度超过极限时，热敏电阻值升高，2点电位高于3点电位，1点输出低电平，经CPLD封锁PWM脉冲信号，驱动输出低电平，从而关断IGBT，实现过热保护。

实验结果与分析

根据以上各种保护电路，结合主电路，构成本实验电路。加压后使其工作，采用示波器